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CVD管式爐系統(tǒng)沉積效率高
更新時(shí)間：2024-03-29 點(diǎn)擊次數(shù)：5785
CVD管式爐廣泛適用于高、中、低溫CVD工藝，例如：碳納米管的研制、晶體硅基板鍍膜、納米氧化鋅結(jié)構(gòu)的可控生長等等；也可適用于金屬材料的擴(kuò)展焊接以及真空或保護(hù)氣氛下熱處理。專門設(shè)計(jì)用于高溫材料沉積之用。具有溫度均勻、控制穩(wěn)定、溫區(qū)間溫度擾動(dòng)小、升溫速度快、節(jié)能、使用溫度高、壽命長等特點(diǎn)，是理想的科研設(shè)備。
系統(tǒng)設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計(jì)生產(chǎn)，CVD系統(tǒng)除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。CVD成長系統(tǒng)是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統(tǒng)。
CVD管式爐系統(tǒng)產(chǎn)品的特點(diǎn)有以下幾點(diǎn)：
1、CVD系統(tǒng)沉積效率高;薄膜的成分可控，配比范圍大;厚度范圍廣，由幾百埃至數(shù)毫米，可以實(shí)現(xiàn)厚膜沉積且能大量生產(chǎn)；
2、CVD系統(tǒng)可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達(dá)數(shù)厘米，研究動(dòng)力學(xué)過程；
3、CVD系統(tǒng)兼容、常壓、微正壓多種主流的生長模式；
4、CVD系統(tǒng)可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長；
5、CVD系統(tǒng)使用計(jì)算機(jī)控制，可以設(shè)置多種生長參數(shù)。
